红外测温仪
半导体测温仪
半导体测温仪此处特指用于外延生长的专用的，工艺应用成熟的红外测温仪。考虑到晶体生长使用的红外测温仪应用已经普遍，故该分类不再展现类似产品。
用于外延生长的测温仪包括BASF Exactus ，贴牌BASF产品的Photrix系列。 其中BASF的产品在意法半导体、北微、晶盛等公司的外延炉上已经有广泛的应用，Photrix系列产品早已集成在Aixtron G4炉子上。
Aixtron 测温配件
Photrix系列
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Photrix-固定镜头型
信噪比极佳，测温下限可低至75℃，上限可高达2600℃的数字式高温计。非常适用于闭环控温。 -
Photrix-光纤镜头型
Photrix-光纤镜头型高温计通过柔性光缆将仪器与远程的固定焦距镜头连接。该配置非常适合测量附近有环境干扰的应用，例如使用感应加热的过程 -
Photrix-光管型
单晶蓝宝石用作光学镜头，又称光导管，可以最大程度地发挥Photrix在侵蚀性的化学环境非接触测温的性能。该配置常用于真空处理室和反应器中。 -
Photrix-光管光纤型
仪器通过柔性光缆与远程的蓝宝石光管相连，Photrix这种结构设计非常适用于需要高精度但光路受限的感应加热处理(例如，真空处理或窄视场)
BASF Exactus系列
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EX-S-3FP
BASF Exactus® EX-S-3FP高温计主要用于类LPE公司SIC外延设备的控温系统,常见测温范围130-2200℃，精度高达1.5℃, 重复性0.1℃。 -
EX-C-7FL
BASF Exactus® EX-C-7FL红外测温仪测温范围覆盖100-1800℃，精度高达1.5℃, 重复性0.1℃。适配AIXTON G3, AIXTRON G4， AIXTRON G5的MOCVD的Bottom测温系统。 -
EX-S-2PY
BASF Exactus® EX-S-2PY红外测温仪主要用于硅晶圆的外延生长研究，也常被用作高温黑体炉的标准器，其测温精度高达1.5℃, 重复性0.1℃。 -
EX-S-7PY
BASF Exactus® EX-S-7PY红外测温仪主要用于SIC或其他晶圆的高温氧化、退火及RTP工艺，常用测温范围250-2600℃，精度高达1.5℃, 重复性0.1℃。 -
EX-S-DPY
BASF Exactus® EX-S-DPY双色红外测温仪测温范围覆盖380-3000℃，精度高达1.5℃, 重复性0.1℃。该型号测温仪采用双色测温原理，温度测量在很大程度上不受物体的发射率的影响. -
EX-ET-222
BASF Exactus® EX-ET-222光管型红外测温仪测温范围覆盖250-1300℃，精度高达1.5℃, 重复性0.1℃。可适配AMAT RTP等测温系统。