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高新技术

多晶硅生长测温

近年来,多晶硅太阳能电池板一直主导着光伏市场,因此,通过定向凝固方法生长的多晶硅可能已成为光伏市场上最流行的材料。 
准单晶硅和高性能多晶硅等种子辅助生长的是新的发展新趋势。上述过程都需要良好的温度控制。

问题

理想情况下,硅内部的温度分布最受关注,但不实际. 通常测量硅的上表面液面温度,但加热器的杂散辐射会影响测量.在籽晶辅助生长工艺中,通常测量坩埚的底部温度。希望通过测量坩埚尽可能地接近放置种子/种子的底层温度。由于坩埚通常由石英制成并涂有Si3N, 因此需要对石英和 Si3N4 的光学特性有很好的了解。

方案

提供解决方案如下:

  • 测量封闭管内的温度. 高温计测量的是与炉子内部环境达到热平衡盲管的最底部温度。

  • 通过开口管测量熔融硅的温度. 精心设计的光学镜头可最大程度地减少加热器的影响,确保温度读数与顶部加热器的温度没有很大关系。

  • 通过坩埚底部测量来推断籽晶层温度. LumaSense高温计经过优化,可获得最最接近的籽晶层温度.

客户获益

  • 提高产量

  • 更高质量