高新技术
问题
铟的掺入高度依赖于过程温度（III族 / V族比是另一个重要因素）。因此，非常需要在量子阱（MQW）生长过程中控制衬底温度。工艺侧(晶片侧)温度测量的传统解决方案是发射率校正高温计(ECP)。但是，对于本应用中使用的典型晶圆，ECP测量的是基座温度而不是衬底温度。如果衬底的正面经过抛光，并且在加工过程中衬底保持平整，那么这种方法非常有效。
实际工艺过程中，晶圆在某些反应器中可以稍微向一侧抬起，而在大多数反应器中可能发生翘曲。这就造成了衬底温度的不均匀性。遗憾的是，对于红外透明衬底，ECP不能检测到非均匀性。来自ECP的测量可能因此会误导MOCVD 反应器用户，使其认为测量的是衬底的真实温度.
近年来，图案化蓝宝石衬底（PSS）已在生产中被广泛采用。对于带图案的表面，ECP失去了其反射率测量的准确性，进而失去了温度测量的准确性，即使在基座上也是如此。
方案
利用GaN外延层的不透明性，工作在400 nm附近或以下的高温计可以精确测量衬底温度。紫外 高温计的概念最初是由桑迪亚国家实验室提出的，并且商业化直到最近才非常成功。
客户获益
真正的晶圆温度测量，而不是基座温度测量
图形蓝宝石衬底的精确温度测量
线性生长温度–波长
提高产量
